직무 · SK하이닉스 / 공정기술
Q. MOCVD 현업 사용
MOCVD 장비를 반도체 산업 현장에서 사용하지 않는 이유가 뭘까요?
2025.11.26
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25년 상반기 양기 JD 필요역량에 프로그래밍 능력 보유자 우대(TEST 프로그램 개발, 분석 프로그램 등) 이라고 나와있는데, 이게 실제 코딩 역량을 말하는 건지 궁금합니다. 양기는 8대공정 중 전공정 기반의 직무라고 이해하고 있는데, 보통 테스트 및 분석 프로그램은 후공정인 경우가 대부분이지 않나 싶어서 좀 헷갈립니다. 그리고 프로그램 사용 역량이 아닌 프로그래밍 역량이라고 하면 말 그대로 코딩을 하는 능력을 말하는 걸까요? 저는 현재 전공정 기반 위주로 스펙을 쌓는 중인데, 최근에 테스트프로그램 관련 교육 면접을 갔더니 본인은 전공정 관련 역량이 있는데 왜 굳이 테스트(후공정) 교육을 지원했냐는 식의 질문을 받았습니다. 물론 이 교육과 하닉JD의 테스트는 별개의 분야긴 하겠지만... 어쨌든 JD에서 말하는 프로그래밍 능력이라는 게 어떤 건지 궁금합니다.
양기로 입사해서 공정쪽으로 간다면, 5대공정 중 하나를 맡아서 하게 되는거 맞나요?
SK하이닉스 공정 구분에 대해서 이해가 안되는 게 너무 많아서 여쭤봅니다 반도체 공정을 5개 P E D T C로 구분하는 것으로 알고 있는데 P,E,C에 대해서는 명확히 이해가 되지만 Diffusion에서 Furnace + Implantation으로 구분되고 Furnace 속에서도 Deposition(ALD, CVD), Oxidation으로 구분되는데 여기서 ALD, CVD와 ThinFilm이 구분되는 CVD, PVD에서의 CVD, ALD와는 어떤 차이가 있나요? 그리고 ThinFilm공정이 CVD + PVD로 구분되는데 Damascene은 왜 PVD에 속하는지도 궁금합니다. PVD가 아닌데 왜 PVD로 구분하는지, 이름을 왜 Metal이 아니라 PVD라고 부르는 것인지 궁금합니다.
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답변 2

멘티님, MOCVD는 사실 ‘안 쓰는 장비’가 아니라 GaN·SiC 같은 화합물반도체(파워반도체, LED, RF 소자 등) 쪽에서는 지금도 핵심 공정으로 많이 쓰이고, “현업 미사용”처럼 느껴지는 건 주류인 Si 로직·메모리 라인에서는 CVD/ALD/스퍼터 등 다른 증착기들이 주력이라 그런 표현이 나온 겁니다. Si 공정 기준으로는 ①웨이퍼 사이즈·스루풋·균일도 측면에서 기존 LPCVD/PECVD/ALD 등에 비해 생산성이 떨어지고 ②장비·가스(유기금속 전구체) 비용과 유지보수 부담이 커서 대량 DRAM·낸드 같은 공정에는 경제성이 낮습니다. 또 MOCVD는 유기금속·고온·독성/인화성 가스 취급 특성상 안전·환경·운영 난이도가 높고, 박막 두께·조성 제어 민감도가 커서 공정 윈도우를 넓게 잡기 어려워, 초미세 공정 대량양산 위주인 메모리·로직은 기존 장비를 선호하는 경향이 강합니다. 정리하면, “안 써서가 아니라, 주류 Si 공정에서는 생산성·경제성·운영 난이도 때문에 덜 쓰이고, 화합물반도체·파워/광소자 쪽에서 특화 장비로 현역인 것”으로 이해하시면 됩니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!