직무 · SK하이닉스 / 공정기술
Q. MOCVD 현업 사용
MOCVD 장비를 반도체 산업 현장에서 사용하지 않는 이유가 뭘까요?
2025.11.26
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반도체 공정 기술 분야를 지망하는 취준생입니다. adsp 보유 opic IM1(다시 딸 예정) 빅데이터 분석기사(필기 합, 실기 불합격 11월말에 다음시험 응시 예정) 렛유인 공정설비, 엑셀 데이터 분석 수강하였고 렛유인 반도체 공정실습 수강 코멘토 공정기술 실무 체험 -더 준비해야하는, 추천하는 자격증이나 활동이 있을까요? 오픽 성적을 높인 다음 11월까지 무엇을 해야할지 고민이 됩니다.
SK하이닉스의 NAND의 층수가 높아짐에 따라 같이 커지는 저항을 줄이기 위해 metal을 두껍게 사용해야 하는 것으로 알고 있습니다. 이에 따라 생기는 metal 공정에서의 문제점들이 어떤 것들이 있나요?
안녕하세요 SK 하이닉스 양산기술 직무에 지원 예정인 신소재공학부 4학년입니다. 제가 알기로 하닉 메모리 팹이 M 짝수 : DRAM 이천 M 홀수 : NAND 청주 M15X : DRAM(HBM) 청주 이렇게 구분되는게 맞나요? 그나마 수도권에 가까운 이천에 지원하고 싶은데, 자기소개서를 NAND 관련 내용으로 쭉 채우면 안되는지 .... 궁금합니다. 정확한 답변만 부탁드려요 😭 감사합니다 :) 얜 NAND 강조하면서 왜 청주 안쓰고 이천을 썼지? 라고 생각하실까요? + 디램 낸드 둘중 하나를 따로 타겟팅하지 않는게 더 좋은 선택일지도 궁금합니다! + 삼성전자 공정기술 직무에서는 8대 공정중 한 공정을 타겟팅하는것이 좋다고 들었는데, 하닉 양산기술 직무는 따로 타겟팅하지 않는것이 좋은 선택일지도 궁금합니다!
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답변 2

멘티님, MOCVD는 사실 ‘안 쓰는 장비’가 아니라 GaN·SiC 같은 화합물반도체(파워반도체, LED, RF 소자 등) 쪽에서는 지금도 핵심 공정으로 많이 쓰이고, “현업 미사용”처럼 느껴지는 건 주류인 Si 로직·메모리 라인에서는 CVD/ALD/스퍼터 등 다른 증착기들이 주력이라 그런 표현이 나온 겁니다. Si 공정 기준으로는 ①웨이퍼 사이즈·스루풋·균일도 측면에서 기존 LPCVD/PECVD/ALD 등에 비해 생산성이 떨어지고 ②장비·가스(유기금속 전구체) 비용과 유지보수 부담이 커서 대량 DRAM·낸드 같은 공정에는 경제성이 낮습니다. 또 MOCVD는 유기금속·고온·독성/인화성 가스 취급 특성상 안전·환경·운영 난이도가 높고, 박막 두께·조성 제어 민감도가 커서 공정 윈도우를 넓게 잡기 어려워, 초미세 공정 대량양산 위주인 메모리·로직은 기존 장비를 선호하는 경향이 강합니다. 정리하면, “안 써서가 아니라, 주류 Si 공정에서는 생산성·경제성·운영 난이도 때문에 덜 쓰이고, 화합물반도체·파워/광소자 쪽에서 특화 장비로 현역인 것”으로 이해하시면 됩니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!